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离子注入机原理:离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成,可以据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位,作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子,决定要注入离子的种类和束
强度。离子源直
放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子,当外来电子的能量高于原子的电离电位时,通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外,还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子,再经过加速器获得较高能量,由四级透镜聚焦后进入靶室,进行离子注入。
高能离子注入的优势:多样:原则上任何元素都可以作为注入离子;形成的结构可不受热力学参数(扩散、溶解度等)限制;不改变:不改变工件的原有尺寸和
糙度等;适合于各类
密零件生产的最后一道工序;牢固
:注入离子直接和材料表面原子或分子结合,形成改
层,改
层和基底材料没有清晰的界面,结合牢靠,不存在
落的现象;不受限:注入过程在材料温度低于零下、高到几百上千度都可以进行;可对那些普通方法不能处理的材料进行表面强化,如塑料、回火温度低的钢材等;应用:离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的是改变半导体的载
子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行
确的控制,克服了常规工艺的限制,提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命,降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺,可以
足浅结、低温和
确控制等要求,已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
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